由埃频（上海）仪器科技有限公司独立开发并搭建的激光分子束外延（LMBE）系统于2020年9月在复旦大学微电子学院完成最后的安装和调试，正式交付客户使用。

LMBE系统

        激光分子束外延是在传统的分子束外延（MBE）和脉冲激光沉积系统（PLD）的基础上发展而来， 能够沉积原子级平整的多元化合物（氧化物）薄膜。该系统集成了五维加热样品台、TorrRHEED、标准靶台等多个部件，且配有多路气路，可以实现各类PLD生长模式。

PLD五维加热样品台

      在这一套系统中，集成了可以在10Pa氧压中将样品加热到1000℃的PLD五维加热样品台，配合TorrRHEED能满足绝大部分氧化物生长需求。样品台能实现绕轴360°旋转与面内360°旋转，这使得五维样品台在进行RHEED监控时可以很方便的通过连续转动样品找到高对称点，这对高质量的单晶薄膜生长与表征是非常重要的。

PLD标准靶台

       系统集成了PLD标准靶台，它可以同时安装6个原料靶，每个靶台均有分隔板与保护板，可以实现程控靶位切换，配合机械手可真空原位更换靶材。程控靶自转和一维往复运动，可以最大程度提高靶材的利用率。

       PLD具有独特的生长动力学过程。高功率激光辐照产生高温高压等离子体羽辉（>104K）使得粒子具有极高的密度（比热蒸发高4个量级）和平均动能（比热蒸发高1~2个量级），再加上脉冲激光不连续的粒子供给方式，非常有利于吸附粒子在样品表面的均匀成核和扩散成膜，这使得它在二维材料制备领域扮演了举足轻重的角色。